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手動(dòng)無(wú)接觸硅片測(cè)試儀(HS-NCS-300型)可以測(cè)量硅片厚度、總厚度變化 TTV 、彎曲度，該儀器適用于 Si ， GaAs ， InP ， Ge 等幾乎所有的材料，所有的設(shè)計(jì)都符合 ASTM( 美國(guó)材料實(shí)驗(yàn)協(xié)會(huì) ) 和 Semi 標(biāo)準(zhǔn)，確保與其他工藝儀器的兼容與統(tǒng)一。



手動(dòng)無(wú)接觸硅片測(cè)試儀 - 產(chǎn)品特點(diǎn)

■ 無(wú)接觸測(cè)量
■ 適用的晶圓材料包括Si，GaAs，InP，Ge等幾乎所有的材料
■ 厚度和 TTV 測(cè)量采用無(wú)接觸電容法探頭
■ 高分辨率液晶屏顯示厚度和 TTV 值
■ 性?xún)r(jià)比高
■ 菜單式快速方便設(shè)置
■ 高分辨率液晶 LCD 顯示
■ 提供和計(jì)算機(jī)連接的輸出端口
■ 提供打印機(jī)端口
■ 便攜且易于安裝
■ 為晶圓硅片關(guān)鍵生產(chǎn)工藝提供精確的無(wú)接觸測(cè)量
■ 高質(zhì)量微處理器為精確和重復(fù)精度高的測(cè)量提供強(qiáng)力保障
■ 高質(zhì)量 聚四氟乙烯晶圓測(cè)試架，為晶圓硅片精確定位提供保障



手動(dòng)無(wú)接觸硅片測(cè)試儀 - 技術(shù)指標(biāo)

■ 晶圓硅片測(cè)試尺寸： 50 mm - 300mm.
■ 厚度測(cè)試范圍： 1000 u m ， 可擴(kuò)展到 1700 um.
■ 厚度測(cè)試精度： +/-0.25um
■ 厚度重復(fù)性精度： 0.050umm

■ TTV 測(cè)試精度 : +/-0.05um
■ TTV 重復(fù)性精度 : 0.050um

■ 彎曲度測(cè)試范圍： +/-500um [+/-850um]
■ 彎曲度測(cè)試精度： +/-2.0umm
■ 彎曲度重復(fù)性精度： 0.750umm

■ 晶圓硅片導(dǎo)電型號(hào)： P 或 N 型
■ 材料： Si ， GaAs ， InP ， Ge 等幾乎 所有半導(dǎo)體材料
■ 可用在： 切片后、磨片前、后， 蝕刻，拋光 以及出廠(chǎng)、入廠(chǎng)質(zhì)量檢測(cè)等
■ 平面 / 缺口：所有的半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)平面或缺口
■ 硅片安裝：裸片，藍(lán)寶石 / 石英基底， 黏膠帶
■ 連續(xù) 5 點(diǎn)測(cè)量



手動(dòng)無(wú)接觸硅片測(cè)試儀 - 應(yīng)用范圍

> 切片
　　>>線(xiàn)鋸設(shè)置
　　　　>>>厚度
　　　　>>>總厚度變化TTV
　　>>監(jiān)測(cè)
　　　　>>>導(dǎo)線(xiàn)槽
　　　　>>>刀片更換
>磨片/刻蝕和拋光
　　>> 過(guò)程監(jiān)控
　　>> 厚度
　　>>總厚度變化TTV
　　>> 材料去除率
　　>> 彎曲度
　　>> 翹曲度
　　>> 平整度
>　研磨
　　>> 材料去除率
>　最終檢測(cè)
　　>>　抽檢或全檢
　　>> 終檢厚度



手動(dòng)無(wú)接觸硅片測(cè)試儀 - 典型客戶(hù)

美國(guó)，歐洲，亞洲及國(guó)內(nèi)太陽(yáng)能及半導(dǎo)體客戶(hù)。